DRAM-Speicherchips für Arbeitsspeicher, bei denen der Zugriff durch EDO-Chips optimiert wird.
Der EDO DRAM (oder Hyper PageMode DRAM) arbeitet ähnlich wie der FPM-Speicher, ist aber schneller dank Änderungen des CAS (Column Address Signal) und des verlängerten Data-Outputs. Diese Chips können Datenwerte noch zum Auslesen bereit halten, während bereits die nächste Adresse angelegt wird. Das beschleunigt Lesevorgänge.
Im Vergleich mit SDRAM ist EDO-Speicher langsamer.
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