Abkürzung für Enhanced Dynamic Random Access Memory.
Weiterentwickelter DRAM-Baustein mit Zugriffszeiten von 15 bis 35 Nano-Sekunden (statt üblicherweise ca. 60 - 70).
Schreiben, Lesen und Refresh können teilweise parallel ausgeführt werden, was im Prinzip ein Second-Level-Cache überflüssig macht.
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