FeRAM ist die Abkürzung für "Ferroelectric Random Access Memory"

Der FeRAM-Chip ist ein Hochgeschwindigkeits-Speicherchip, der 2006 vom japanischen Elektronikonzern Toshiba entwickelt wurde. Ein FeRAM-Chip verfügt über eine Speicherkapazität von 64-Megabit. Ein FeRAM-Chip kann Daten mit einer Geschwindigkeit von 200 Megabyte pro Sekunde lesen und schreiben.

Technisch gesehen sind FeRAM-Chips eine Speicherart auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, die ähnlich wie Magnete funktionieren.