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FeRAM ist die Abkürzung für "Ferroelectric Random Access Memory"
Der FeRAM-Chip ist ein Hochgeschwindigkeits-Speicherchip, der 2006 vom japanischen Elektronikonzern Toshiba entwickelt wurde. Ein FeRAM-Chip verfügt über eine Speicherkapazität von 64-Megabit. Ein FeRAM-Chip kann Daten mit einer Geschwindigkeit von 200 Megabyte pro Sekunde lesen und schreiben.
Technisch gesehen sind FeRAM-Chips eine Speicherart auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, die ähnlich wie Magnete funktionieren. |
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